论文>电气自动化/电力论文>HfO2介质MOS结构的总剂量辐照损伤效应数?#30340;?#25311;

                                    HfO2介质MOS结构的总剂量辐照损伤效应数?#30340;?#25311;

                                      
                                    编号:99-583285 | doc 格式 | 1.20M | 43 页
                                    HfO2介质MOS结构的总剂量辐照损伤效应数?#30340;?#25311;


                                    1.9万字 43页 原创作品,已通过查重系统


                                    摘 要

                                    随着人类对宇宙的探索的逐步加深,宇宙空间辐射对航天器件的辐照损伤成为不可忽略的问题,而传统的SiO2材料已经不能满足现今MOS器件的要求,随着HfO2介质MOS器件的迅速发展,其在辐射中受到的影响程度成为研究的重点。
                                    所以本文利用SentaurusTCAD仿真软件模拟了HfO2介质MOS结构在总剂量辐照损伤特性。在器件结构确定的情况下,模拟器件在未受到辐射和受到辐射两种情况的器件特征参数变化,并得出数据绘出CV曲线,根据公式算出每个辐照剂量下的氧化层陷阱电荷量,找到氧化层陷阱电?#20260;?#30528;辐照剂量的变化规律。
                                    研究表明, 辐照对器件内部电场分布、空穴电流密度、电?#29992;?#24230;以及空间电荷的分布没有很大影响,却对它们的大小产生了较为明显的影响。主要是增大了空穴电流密度、电?#29992;?#24230;和空间电荷的大小,使电场强度略微?#26723;汀?#21516;时,辐照在介质中还产生了正的氧化层陷阱电荷,数量级为1010cm-2~1012cm-2,?#24050;?#21270;层陷阱电荷量随着辐照剂量的增加而近似线性增加。

                                    关键词:空间辐射,HfO2,总剂量效应,陷阱电荷,数?#30340;?#25311;
                                      
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